CGD65B240SH2
Номер запчасти
CGD65B240SH2
Классификация продуктов
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
Cambridge GaN Devices
Описание
650V GAN HEMT, 240MOHM, DFN5X6.
Пакет
Cut Tape (CT)
Упаковка
Количество
6255
Состояние RoHS
NO
PDF：
Запасы
base.lang_mini : 1
Количество
Цены
Общая стоимость
1
$5.93
$5.93
10
$3.95
$39.5
100
$2.83
$283
500
$2.73
$1365
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
7A
Поставщик Устройство Корпус
8-DFN (5x6)
Корпус
8-PowerVDFN
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
12V
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (макс.)
+20V, -1V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
336mOhm @ 500mA, 12V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.2V @ 2.3mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
1.2 nC @ 12 V
Новейшие продукты
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканировать QR-код для мобильных