Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Статус детали
Not For New Designs
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
5V
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус
Die
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
9 nC @ 5 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
36A (Ta)
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 5mA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
900 pF @ 50 V