Статус детали
Discontinued at
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-40°C ~ 125°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
200 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
5V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
12A (Ta)
Поставщик Устройство Корпус
Die
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
7.5 nC @ 5 V
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 3mA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
540 pF @ 100 V