Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Статус детали
Not For New Designs
Напряжение сток-исток (Vdss)
200 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
5V
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус
Die
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
22A (Ta)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
5.3 nC @ 5 V
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 3mA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
540 pF @ 100 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
25mOhm @ 12A, 5V