EPC2012
Номер запчасти
EPC2012
Классификация продуктов
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
EPC
Описание
GANFET N-CH 200V 3A DIE
Пакет
Tape & Reel (TR)
Упаковка
Количество
1600
Состояние RoHS
NO
Запасы
base.lang_mini : 0
Количество
Цены
Общая стоимость
Статус детали
Discontinued at
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-40°C ~ 125°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
200 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 1mA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
5V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
3A (Ta)
Корпус
Die
Поставщик Устройство Корпус
Die
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
1.8 nC @ 5 V
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (макс.)
+6V, -5V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
100mOhm @ 3A, 5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
145 pF @ 100 V
Новейшие продукты
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
szlcwkj@163.com
346959483
18923764396
Сканировать QR-код для мобильных