Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
5V
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
10A (Ta)
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Поставщик Устройство Корпус
Die
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
2.5 nC @ 5 V
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 2mA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
16mOhm @ 10A, 5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
300 pF @ 20 V