Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Статус детали
Not For New Designs
Рассеиваемая мощность (максимальная)
-
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
5V
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
15 nC @ 5 V
Поставщик Устройство Корпус
Die
Напряжение сток-исток (Vdss)
80 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
90A (Ta)
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 14mA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1650 pF @ 40 V