Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 1mA
Корпус
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
64 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2500 pF @ 15 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-252 (DPAK)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
90A (Ta)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
70W (Ta)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 16A, 10V