Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Рассеиваемая мощность (максимальная)
1.3W (Ta)
Vgs(th) (макс.) при Id
1.5V @ 250µA
Напряжение сток-исток (Vdss)
20 V
Корпус
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Поставщик Устройство Корпус
8-TSSOP
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
2.5V, 4.5V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
9.7A (Ta)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
135 nC @ 5 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
7225 pF @ 10 V