Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
115W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
23.5A (Tc)
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
18V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 14mA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1000 pF @ 400 V
Поставщик Устройство Корпус
TOLL
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 18V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
43 nC @ 15 V