Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Корпус
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
83W (Tc)
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
20.6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1000 pF @ 400 V
Поставщик Устройство Корпус
D2PAK-7L
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 18V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
43 nC @ 15 V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.2V @ 14mA