Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
15A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
68W (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
15V
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
150mOhm @ 5A, 15V
Vgs(th) (макс.) при Id
2V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
29.5 nC @ 12 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
672 pF @ 400 V
Поставщик Устройство Корпус
4-PDFN (8x8)