Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Корпус
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-252
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
15V
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
10.7A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
46.8W (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
330mOhm @ 3A, 15V
Vgs(th) (макс.) при Id
2V @ 6mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
18.2 nC @ 12 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
436 pF @ 400 V