Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
8.8A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
41W (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
15V
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
344 pF @ 400 V
Поставщик Устройство Корпус
4-PDFN (8x8)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
320mOhm @ 2A, 15V
Vgs(th) (макс.) при Id
1.5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
14.5 nC @ 12 V