G01N20LE
Номер запчасти
G01N20LE
Классификация продуктов
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
Goford Semiconductor
Описание
N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9
Пакет
Cut Tape (CT)
Упаковка
Количество
2418
Состояние RoHS
NO
Поделиться
PDF:
Запасы
base.lang_mini : 1
Количество
Цены
Общая стоимость
1
$0.58
$0.58
10
$0.36
$3.6
100
$0.23
$23
500
$0.17
$85
1000
$0.15
$150
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поставщик Устройство Корпус
SOT-23-3
Напряжение сток-исток (Vdss)
200 V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
12 nC @ 10 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
1.7A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
1.5W (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
580 pF @ 25 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
700mOhm @ 1A, 10V
Новейшие продукты
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP