G12P03D3
Номер запчасти
G12P03D3
Классификация продуктов
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
Goford Semiconductor
Описание
P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26
Пакет
Cut Tape (CT)
Упаковка
Количество
9033
Состояние RoHS
NO
Поделиться
PDF:
Запасы
base.lang_mini : 1
Количество
Цены
Общая стоимость
1
$0.98
$0.98
10
$0.61
$6.1
100
$0.39
$39
500
$0.3
$150
1000
$0.27
$270
2000
$0.25
$500
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
12A (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id
2V @ 250µA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
30W (Tc)
Корпус
8-PowerVDFN
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
20mOhm @ 6A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
24.5 nC @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус
8-DFN (3.15x3.05)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1337 pF @ 15 V
Новейшие продукты
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP