Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
35 nC @ 10 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
45A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
55W (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10A, 10V
Поставщик Устройство Корпус
8-DFN (3.15x3.05)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2805 pF @ 15 V