G3035
Номер запчасти
G3035
Классификация продуктов
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
Goford Semiconductor
Описание
P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Пакет
Cut Tape (CT)
Упаковка
Количество
6794
Состояние RoHS
NO
Поделиться
PDF:
Запасы
base.lang_mini : 1
Количество
Цены
Общая стоимость
1
$0.41
$0.41
10
$0.25
$2.5
100
$0.16
$16
500
$0.12
$60
1000
$0.1
$100
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поставщик Устройство Корпус
SOT-23-3
Тип полевого транзистора
P-Channel
Vgs(th) (макс.) при Id
2V @ 250µA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
4.6A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
13 nC @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
55mOhm @ 4A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
607 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
1.4W (Tc)
Новейшие продукты
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP