G65P06D5
Номер запчасти
G65P06D5
Классификация продуктов
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
Goford Semiconductor
Описание
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
Пакет
Cut Tape (CT)
Упаковка
Количество
2019
Состояние RoHS
NO
Поделиться
PDF:
Запасы
base.lang_mini : 1
Количество
Цены
Общая стоимость
1
$1.72
$1.72
10
$1.08
$10.8
100
$0.72
$72
500
$0.57
$285
1000
$0.52
$520
2000
$0.5
$1000
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Vgs(th) (макс.) при Id
3.5V @ 250µA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
65A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
104W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
75 nC @ 10 V
Корпус
8-PowerTDFN
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Поставщик Устройство Корпус
8-DFN (4.9x5.75)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
6138 pF @ 25 V
Новейшие продукты
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP