Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Vgs(th) (макс.) при Id
3.5V @ 250µA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
65A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
104W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
75 nC @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Поставщик Устройство Корпус
8-DFN (4.9x5.75)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
6138 pF @ 25 V