Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
45A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
33W (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1400 pF @ 20 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
7.2mOhm @ 8A, 10V
Поставщик Устройство Корпус
8-PPAK (3.1x3.05)