Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1300 pF @ 25 V
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
14A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
24 nC @ 10 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Поставщик Устройство Корпус
8-SOP
Vgs(th) (макс.) при Id
2.4V @ 250µA
Рассеиваемая мощность (максимальная)
3W (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
11mOhm @ 14A, 10V