GT110N06S
Номер запчасти
GT110N06S
Классификация продуктов
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
Goford Semiconductor
Описание
N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1
Пакет
Cut Tape (CT)
Упаковка
Количество
5133
Состояние RoHS
NO
Поделиться
PDF:
Запасы
base.lang_mini : 1
Количество
Цены
Общая стоимость
1
$1.25
$1.25
10
$0.78
$7.8
100
$0.51
$51
500
$0.4
$200
1000
$0.36
$360
2000
$0.33
$660
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1300 pF @ 25 V
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
14A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
24 nC @ 10 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Поставщик Устройство Корпус
8-SOP
Vgs(th) (макс.) при Id
2.4V @ 250µA
Рассеиваемая мощность (максимальная)
3W (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
11mOhm @ 14A, 10V
Новейшие продукты
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP