GT52N10D5
Номер запчасти
GT52N10D5
Классификация продуктов
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
Goford Semiconductor
Описание
N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Пакет
Cut Tape (CT)
Упаковка
Количество
13359
Состояние RoHS
NO
Поделиться
PDF:
Запасы
base.lang_mini : 1
Количество
Цены
Общая стоимость
1
$2.52
$2.52
10
$1.61
$16.1
100
$1.1
$110
500
$0.88
$440
1000
$0.85
$850
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
100W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
50 nC @ 10 V
Корпус
8-PowerTDFN
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
71A (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2870 pF @ 50 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 50A, 10V
Поставщик Устройство Корпус
8-DFN (4.9x5.75)
Новейшие продукты
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP