GT55N06D5
Номер запчасти
GT55N06D5
Классификация продуктов
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
Goford Semiconductor
Описание
N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@
Пакет
Cut Tape (CT)
Упаковка
Количество
2895
Состояние RoHS
NO
Поделиться
PDF:
Запасы
base.lang_mini : 1
Количество
Цены
Общая стоимость
1
$1.33
$1.33
10
$0.84
$8.4
100
$0.55
$55
500
$0.43
$215
1000
$0.39
$390
2000
$0.36
$720
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (макс.)
±20V
FET Особенности
-
Класс
-
Квалификация
-
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
31 nC @ 10 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
69W (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.4V @ 250µA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
45A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
9mOhm @ 14A, 10V
Корпус
8-PowerTDFN
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1085 pF @ 30 V
Поставщик Устройство Корпус
8-DFN (4.9x5.75)
Новейшие продукты
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP