Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
31 nC @ 10 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
69W (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.4V @ 250µA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
45A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
9mOhm @ 14A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1085 pF @ 30 V
Поставщик Устройство Корпус
8-DFN (4.9x5.75)