Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
250 pF @ 25 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
15A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
55 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
45W (Tc)
Поставщик Устройство Корпус
IPAK
Корпус
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
90mOhm @ 15A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
20 nC @ 20 V