Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
350 pF @ 25 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
19A (Tc)
Корпус
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Напряжение сток-исток (Vdss)
55 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-252 (DPAK)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
55W (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
70mOhm @ 19A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
24 nC @ 20 V