Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Поставщик Устройство Корпус
TO-263 (D2PAK)
Корпус
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
35A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
55 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
680 pF @ 25 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
34mOhm @ 35A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
44 nC @ 20 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
93W (Tc)