Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Корпус
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 250µA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
20A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
110W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
46 nC @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-252 (DPAK)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
52mOhm @ 20A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1285 pF @ 25 V