Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 250µA
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Корпус
TO-261-4, TO-261AA
Рассеиваемая мощность (максимальная)
1.1W (Ta)
Поставщик Устройство Корпус
SOT-223-4
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
3A (Ta)
Напряжение сток-исток (Vdss)
55 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
70mOhm @ 3A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
23 nC @ 20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
352 pF @ 25 V