Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
42A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
55 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
95 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
140W (Tc)
Корпус
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Поставщик Устройство Корпус
IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (макс.) при Id
4V @ 100µA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2840 pF @ 25 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 42A, 10V