Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 250µA
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-263 (D2PAK)
Корпус
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
75A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
215W (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 75A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
172 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
7000 pF @ 15 V