Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
58A (Tc)
Поставщик Устройство Корпус
TO-247-3
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
120 nC @ 20 V
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
20V
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
327W (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
65mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (макс.) при Id
3.2V @ 6mA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2770 pF @ 800 V