Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
99A (Tc)
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
18V
Поставщик Устройство Корпус
TO-247-4
Рассеиваемая мощность (максимальная)
454W (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
33mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.5V @ 12mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
125 nC @ 18 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
3090 pF @ 600 V