Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
18V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.5V @ 7.5mA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
63.5A (Tc)
Поставщик Устройство Корпус
TOLL
Рассеиваемая мощность (максимальная)
249W (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
53mOhm @ 20A, 18V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
94.7 nC @ 18 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2000 pF @ 600 V