Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
41A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
250W (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
18V
Поставщик Устройство Корпус
TO-247-4
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
104mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (макс.) при Id
4.5V @ 5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
53 nC @ 18 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1214 pF @ 800 V