Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип полевого транзистора
P-Channel
Рассеиваемая мощность (максимальная)
1W (Ta)
Напряжение сток-исток (Vdss)
20 V
Vgs(th) (макс.) при Id
1.2V @ 250µA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
3.1A (Ta)
Поставщик Устройство Корпус
SOT-23
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
9.7 nC @ 4.5 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
1.8V, 10V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
55mOhm @ 3A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
686 pF @ 15 V