N3T080MP120D
Номер запчасти
N3T080MP120D
Классификация продуктов
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
NoMIS Power
Описание
1200 V, 80 m SiC MOSFET, TO-247-
Пакет
Tube
Упаковка
Количество
2482
Состояние RoHS
NO
Поделиться
PDF:
Запасы
base.lang_mini : 1
Количество
Цены
Общая стоимость
1
$9.85
$9.85
25
$9.3
$232.5
100
$8.75
$875
500
$7.65
$3825
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
-
Квалификация
-
Корпус
TO-247-3
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
188W (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
20V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
38A
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
100mOhm @ 15A, 20V
Vgs (макс.)
+20V, -5V
Поставщик Устройство Корпус
TO-247-3L
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 15mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
53 nC @ 20 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
896 pF @ 800 V
Новейшие продукты
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP