Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
46A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1200 V
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
18V
Поставщик Устройство Корпус
TO-263-7L
Vgs(th) (макс.) при Id
2.3V @ 5mA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
75mOhm @ 20A, 18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1402 pF @ 1000 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
240W (Ta)
Корпус
TO-263-8, DPak (7 Leads + Tab)