Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.2V @ 250µA
Поставщик Устройство Корпус
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Корпус
8-PowerTDFN, 5 Leads
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
7mOhm @ 30A, 10V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
17.3 nC @ 10 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
9A (Ta), 44A (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1004 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
920mW (Ta), 21.6W (Tc)