P3M06060G7
Номер запчасти
P3M06060G7
Классификация продуктов
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель
PN Junction Semiconductor
Описание
SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7
Пакет
Tape & Reel (TR)
Упаковка
Количество
1600
Состояние RoHS
NO
Поделиться
PDF:
Запасы
base.lang_mini : 0
Количество
Цены
Общая стоимость
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
FET Особенности
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Класс
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Корпус
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Поставщик Устройство Корпус
D2PAK-7
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
15V
Технология
SiCFET (Silicon Carbide)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
159W
Vgs (макс.)
+20V, -8V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
44A
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
79mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.2V @ 20mA (Typ)
Новейшие продукты
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP