Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
3.1W (Ta)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
65 nC @ 4.5 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
60A (Ta)
Vgs(th) (макс.) при Id
800mV @ 1mA
Напряжение сток-исток (Vdss)
5 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
3.5V, 4.5V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
0.45mOhm @ 60A, 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
7600 pF @ 5 V
Поставщик Устройство Корпус
3-LGA (4.1x8)