Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
350mW (Ta)
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Поставщик Устройство Корпус
SOT-323
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
4.8 nC @ 10 V
Vgs(th) (макс.) при Id
1.2V @ 250µA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
1.9A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
1.8V, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
447 pF @ 15 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
70mOhm @ 1.9A, 10V