Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип полевого транзистора
P-Channel
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 250µA
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
4.3A (Ta)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
1.5W (Ta)
Поставщик Устройство Корпус
SOT-23
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
52mOhm @ 4A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
700 pF @ 15 V