Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Корпус
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (макс.) при Id
3V @ 250µA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
40A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
40 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
80W (Tc)
Поставщик Устройство Корпус
TO-252-2
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
14mOhm @ 12A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2960 pF @ 20 V