Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип полевого транзистора
P-Channel
Рабочая температура
150°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id
1V @ 250µA
Напряжение сток-исток (Vdss)
20 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
400mW (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
2.5V, 4.5V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
2.8A (Ta)
Поставщик Устройство Корпус
SOT-23
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
10 nC @ 4.5 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
405 pF @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
70mOhm @ 2.8A, 4.5V