Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Напряжение сток-исток (Vdss)
600 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
9A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
65W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
350mOhm @ 5.5A, 8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
760 pF @ 480 V
Поставщик Устройство Корпус
3-PQFN (8x8)