Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
125W (Tc)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
35A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Поставщик Устройство Корпус
TO-247-3
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
42 nC @ 8 V
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.6V @ 700µA
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
2200 pF @ 400 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
62mOhm @ 22A, 8V