Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
17A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
600 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
96W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Технология
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.6V @ 500µA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
760 pF @ 480 V
Поставщик Устройство Корпус
3-PQFN (8x8)