Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Поставщик Устройство Корпус
TO-220AB
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
20A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss)
650 V
Рассеиваемая мощность (максимальная)
96W (Tc)
Технология
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
760 pF @ 400 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
130mOhm @ 13A, 8V
Vgs(th) (макс.) при Id
2.6V @ 300µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
14 nC @ 8 V