Тип монтажа
Surface Mount
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип полевого транзистора
P-Channel
Рассеиваемая мощность (максимальная)
1.3W (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
12 nC @ 5 V
Напряжение сток-исток (Vdss)
20 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
3.7A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs(th) (макс.) при Id
950mV @ 250µA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
633 pF @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус
SOT-23