Тип монтажа
Surface Mount
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C
30A (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Корпус
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs
25 nC @ 10 V
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Поставщик Устройство Корпус
TO-252 (DPAK)
Рассеиваемая мощность (максимальная)
55W (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
35mOhm @ 15A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds
1562 pF @ 25 V